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Auf dieser Website finden Sie die Lösungen zu Aufgaben aus dem Lehrbuch. Außerdem können Sie hier im Laufe der Zeit Informationen, Bilder oder Videos zu den einzelnen Kapiteln finden.

Lösungen

Lösung 9.1

a) und b)

c)

Sollgrenzen und Bewertung der Produktion:

Lösung 9.2

a)

b)

c)

d)

Hierbei handelt es sich um ein sogenanntes p-Substrat. Ist die Konzentration der positiven Ladungsträger besonders erhöht, kennzeichnet man dies als p+-Substrat.

Lösung 9.3

Merkmal

MerkmalProzessschritt mit Auswirkung auf das Merkmal
Durchmesser Durch das Grinding wird der Wafer auf das geforderte Maß abgedreht und bekommt so den gewünschten Durchmesser.
Dicke Der Sägeprozess legt zunächst die Ausgangsdicke fest, die in späteren Läpp-, Polier- und Ätzschritten weiter verringert wird.
Keiligkeit Diese Merkmale werden durch die Läpp-, Polier- und Ätzprozesse direkt beeinflusst.
Durchbiegung
Ebenheit
Orientierung Die Orientierung wird unmittelbar durch den Impfkristall bei der Herstellung des Ingots festgelegt.
Flatlage Da sich die Flats direkt auf die Orientierung beziehen, ist die Lage der Flats vom Herstellungsprozess der Ingots abhängig.
Rückseite Die Rückseite kann bei Ätzprozessen durch Aufbringen einer Schutzschicht vor Ätzangriffen geschützt werden.
Scheibenvorderseite Diese Merkmale werden durch die Läpp-, Polier- und Ätzprozesse direkt beeinflusst.
Herstellungsart Die Wahl des Herstellungsverfahren (CZ oder FZ) ist für die Güte des Kristalls ausschlaggebend.
Leitungstyp Die Dotierung während des Herstellungsprozesses gibt den Leitungstyp (p- oder n-Leiter) vor.
Dotierung Durch die Zugabe des Dotierstoffes während des Herstellungsverfahrens werden Dotierstoffart und -menge festgelegt.
spezifischer Widerstand Über die Dotierstoffmenge steuert man die Leitfähigkeit des Kristalls. Deshalb ist die Zugabe an Dotierstoffen im Herstellungsprozess des Einkristalls wichtig für die Festlegung des spezif. Widerstandes.