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Auf dieser Website finden Sie die Lösungen zu Aufgaben aus dem Lehrbuch. Außerdem können Sie hier im Laufe der Zeit Informationen, Bilder oder Videos zu den einzelnen Kapiteln finden.

Lösungen

Lösung 12.1

Ätzrate richtungsunabhängig (isotrop, linkes Bild), richtungsabhängig (anisotrop, rechtes Bild). A = 1- (rhorizontal / rVertikal)

Lösung 12.2

Unterschiedliche Ätzraten für verschiedene Materialien.

Lösung 12.3

RCA-Verfahren:

Schritt 1 (SC-1) zur Entfernung organischer und metallischer Verunreinigungen in einer Lösung aus NH3 : H2O2 : H2O im Mischungsverhältnis 1 : 1 : 5.
Schritt 2 (SC-2) zur Entfernung von Alkali-Ionen nutzt eine Lösung aus HCl : H2O2 : H2O im Verhältnis 1 : 1 : 5.

Lösung 12.4

Unterschiedliche Ätzraten in verschiedenen Kristallebenen. {111}-Ebene ist ätzbegrenzend.

Lösung 12.5

Umkehrung des Sputterprozesses: Substratbeschuss anstelle des Targetbeschusses.

Lösung 12.6

Lösung 12.7

Reaktives Ionenätzen RIE; auf IBE basierende Verfahren: Reaktives Ionenstrahlätzen RIBE, Chemically Assisted Ion Beam Etching CAIBE; Ionenstrahl-Tiefenätzen (DRIE).

Lösung 12.8

(1) Aufbringen einer Ätzmaske
(2) ätzen mit SF6
(3) Passivieren mit C4F8
(4) wiederum ätzen mit SF6
(5) Struktur nach mehrmaligem Ausführen der Schritte 2 und 3
(6) fertige Struktur nach dem Entfernen des Ätzmaske und der Passivierungsschicht