Lösungen
Lösung 10.1 |
Bei der trockenen Oxidation wird lediglich Sauerstoff bei hoher Prozesstemperatur verwendet, während bei der feuchten Oxidation zusätzlich Wasser(-dampf) mittels Bubbler zugesetzt wird.
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Lösung 10.2 |
Die thermische Oxidation kann eingesetzt werden, wenn zum einem die Silicium-Waferoberfläche freiliegt und zum anderen die vielleicht schon vorhandenen Strukturen die auftretenden Temperaturen aushalten. |
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Lösung 10.3 |
Bei der feuchten Oxidation werden je nach Temperatur zwischen 0,03 und 0,3 Stunden benötigt. Die trockene Oxidation benötigt hingegen 0,3 bis 5 Stunden. |
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Lösung 10.4 |
Die SiCl4 Konzentration ist von entscheidender Bedeutung, da je nach Anteil die Silicium-Gasphasen-Epitaxie einen schichtabtragenden oder schichtaufwachsenden Charakter hat. |
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Lösung 10.5 |
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Lösung 10.6 |
Aufgrund des Paschen Gesetzes ist die Zündspannung U=p*d vorgegeben und eine Funktion von Druck und Elektrodenabstand (Abstand Kathode - Anode). Bei sehr niedrigem Druck ist entweder eine extrem hohe Spannung erforderlich; ferner ist die Ladungsträgerdichte nicht ausreichend um die Entladung aufrecht zu erhalten. |
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Lösung 10.7 |
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Lösung 10.8 |
Bestehen das Substrat und die abgeschiedene Schicht eines Epitaxie Prozesses aus demselben Material wird dieses Homoepitaxie, bei unterschiedlichen Materialien Heteroepitaxie genannt. |
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Lösung 10.9 |
*Typischerweise strukturierte Beschichtung und deshalb keine Aussage |
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Lösung 10.10 |
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Lösung 10.11 |
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Lösung 10.12 |
Der Hauptunterschied der beiden Verfahren ist die Zuführung der Elektronen. Bei der Galvanik erfolgt diese über eine äußere Stromquelle, während bei der außenstromlosen Abscheidung diese durch chemische Reaktionen innerhalb des Elektrolyten freigesetzt werden. |
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Lösung 10.13 |
Plasma ist der vierte Aggregatzustand und beschreibt ein ionisiertes Gas, welches nach außen hin elektrisch neutral ist. Die technische Erzeugung erfolgt meist durch Anlegen einer elektrischen Spannung an zwei Elektroden. |
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Lösung 10.14 |
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Lösung 10.15 |
Beim Beschuss einer Oberfläche mit Ionen können diese reflektiert, implantiert oder ein Atom aus der Oberfläche auslösen (Sputtern). Des Weiteren besteht die Möglichkeit, dass Sekundärelektronen ausgelöst oder Gitterdefekte erzeugt werden. |